存儲(chǔ)領(lǐng)域如何賦能汽車發(fā)展?西部數(shù)據(jù)提供全套方案
【太平洋汽車網(wǎng) 技術(shù)頻道】隨著智能汽車逐漸強(qiáng)調(diào)在「新四化」領(lǐng)域的轉(zhuǎn)型,汽車的電子電氣架構(gòu)也因此而變化,從最初的分布式在向域融合和中央控制單元過(guò)渡。
雖然新的電子電氣架構(gòu)目前還沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),但是對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品的要求卻發(fā)生了很多變化。近日,西部數(shù)據(jù)2021智能網(wǎng)聯(lián)車技術(shù)論壇在杭州順利舉辦,我們一起來(lái)了解一下作為數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)解決方案提供商的西部數(shù)據(jù)公司,是如何賦能汽車領(lǐng)域的?
隨著NAND Flash在汽車領(lǐng)域運(yùn)用得更加廣泛,也產(chǎn)生了很多問(wèn)題,這也是存儲(chǔ)方案在汽車領(lǐng)域所要解決的問(wèn)題。
首先是「耐久性」,NAND Flash是有擦寫壽命限制的,隨著存儲(chǔ)設(shè)備使用年限的增加,工作負(fù)載增加,NAND Flash車載容量會(huì)加速消耗,導(dǎo)致原本的應(yīng)用可以保證安全行駛八年或者十年不出問(wèn)題,可能會(huì)遇到用到第四年或者第五年機(jī)器無(wú)法啟動(dòng)的情況。
然后到「性能」方面,由于現(xiàn)在應(yīng)用越來(lái)越多,越來(lái)越復(fù)雜,對(duì)于存儲(chǔ)的要求也是越來(lái)越高。現(xiàn)在的存儲(chǔ),包括NAND Flash在內(nèi),有不同的協(xié)議規(guī)范,呈現(xiàn)出的產(chǎn)品性能差異也相當(dāng)大。
第三是存儲(chǔ)的「分區(qū)」,目前大多數(shù)市面上車載應(yīng)用NAND Flash產(chǎn)品,都是不支持物理分區(qū)的,這里所指的分區(qū)是指邏輯分區(qū),比如說(shuō)分成ABC三個(gè)區(qū)。但是如果反復(fù)擦寫的B區(qū)數(shù)據(jù),實(shí)際上在存儲(chǔ)當(dāng)中是放在全盤做讀寫均衡的。如果看到B盤損壞,就代表整個(gè)盤都已經(jīng)損壞,A盤和C盤也不能幸免。所以要對(duì)物理分區(qū)、邏輯分區(qū)有概念,確保不會(huì)因?yàn)轭l繁擦寫數(shù)據(jù),而損壞整個(gè)全盤,導(dǎo)致機(jī)器不能正常使用。
最后是「智能座艙和娛樂(lè)導(dǎo)航系統(tǒng)」,因?yàn)楝F(xiàn)在高精地圖普及率越來(lái)越高,隨著地圖文件越來(lái)越大,如果還是保持之前在線燒錄,會(huì)在生產(chǎn)線占用很多空間和時(shí)間,很不劃算。而預(yù)燒錄有很多不同的產(chǎn)品,目前市面上主流是25%容量的預(yù)燒錄,也有100%容量預(yù)燒錄,然而對(duì)于100%容量預(yù)燒錄產(chǎn)品,其實(shí)后期回流焊的次數(shù)也是有限制的。
數(shù)據(jù)穩(wěn)定性和安全性,大數(shù)據(jù)存儲(chǔ),性能提升,更加復(fù)雜的應(yīng)用需求,等對(duì)車內(nèi)及邊和云的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提出了更高的要求。為了實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)駕駛,不僅需要單車智能,車路協(xié)同同樣必不可少。而「端-邊-云」數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu),能夠確保汽車行駛過(guò)程中,數(shù)據(jù)計(jì)算的時(shí)效性,減少因中心云計(jì)算高延遲帶來(lái)的潛在的風(fēng)險(xiǎn)。
而西部數(shù)據(jù)公司,作為領(lǐng)先的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)解決方案提供商,擁有幾乎全產(chǎn)品線的存儲(chǔ)產(chǎn)品解決方案,提供覆蓋 8GB-20TB 容量,包括 e.MMC/UFS/micro SD/SSD/HDD 等不同規(guī)格的車規(guī)級(jí)及企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品,支持端-邊-云新型數(shù)據(jù)架構(gòu)在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用,滿足當(dāng)前和未來(lái)單車智能及車路協(xié)同的多樣化需求。
1、西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤
新款 256GB 西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤采用 64 層 3D NAND TLC 閃存技術(shù),產(chǎn)品生命周期超越了 2D NAND,以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長(zhǎng)的容量需求。
該閃存盤通過(guò)了 IATF16949 認(rèn)證,符合 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),并遵守 ISO26262 NAND 閃存安全機(jī)制指南,還囊括了專為密集型汽車工作負(fù)載而設(shè)計(jì)的豐富汽車功能。
2、西部數(shù)據(jù) iNAND AT EU312 UFS 嵌入式閃存盤
西部數(shù)據(jù)公司的3D TLC NAND UFS 汽車嵌入式閃存盤(EFD)豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲(chǔ)存解決方案,用以滿足對(duì)先進(jìn)汽車系統(tǒng)和自動(dòng)駕駛車輛的需求(如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) ADAS)。
該嵌入式閃存盤采用 UFS 2.1 接口,可提供高容量和相比較此前基于 e.MMC 產(chǎn)品更強(qiáng)的性能,滿足了汽車設(shè)備嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求。
3、西部數(shù)據(jù) IX SN530 工業(yè)級(jí) SSD
西部數(shù)據(jù) IX SN530 工業(yè)級(jí) SSD 是西部數(shù)據(jù)全新推出的工業(yè)級(jí)解決方案,旨在滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)O端溫度、性能、高耐用性和可靠性的要求。西部數(shù)據(jù) IX SN530 NVMe SSD 的工作溫度范圍在-40°C 至+ 85°C,并符合 20G 的運(yùn)行振動(dòng)規(guī)范,適用于全場(chǎng)景具有嚴(yán)苛要求的終端環(huán)境。
該產(chǎn)品提供了高達(dá) 2400 MB/s 的讀取性能,是 OEM 構(gòu)建新應(yīng)用或從 SATA SSD 過(guò)渡到 NVMe SSD 的高性能解決方案。產(chǎn)品采用緊湊的 M.2 2230 或 M.2 2280 尺寸,提供從 85GB 到2TB 的容量。
4、西部數(shù)據(jù) Ultrastar DC SN640 NVMe SSD
Ultrastar DC SN640 NVMe SSD 可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 469K IOPS,適用于 70%讀 30%寫混合工作負(fù)載,能夠?yàn)樽詣?dòng)駕駛領(lǐng)域“端-邊-云協(xié)同”的數(shù)據(jù)架構(gòu)提供更優(yōu)的存儲(chǔ)解決方案,以卓越、高速的讀寫性能支持海量數(shù)據(jù)的計(jì)算與存儲(chǔ)。
此外,在降低車聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的延遲方面,西部數(shù)據(jù)有自己獨(dú)特的Smart SLC技術(shù),能夠確保3D TLC產(chǎn)品能夠擁有SLC的速度,確保在容量增加的同時(shí)也對(duì)速度有進(jìn)一步的提升,但是在整個(gè)車聯(lián)網(wǎng)中,還是需要很多系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的配合才能實(shí)現(xiàn)。
目前單車車內(nèi)數(shù)據(jù)量是34GB左右,使用的大多數(shù)還是小容量8GB的e.MMC。到2026年,車內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)需求最大的一塊是與智能輔助駕駛相關(guān),L3級(jí)和L4級(jí)輔助駕駛對(duì)于存儲(chǔ)的需求將是巨大的,比如在占比較高的私家車內(nèi),L3未來(lái)容量可以達(dá)到512GB。
在智能座艙域,隨著所支持的功能越來(lái)越多。據(jù)西部數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)在2050年左右,單車智能駕艙所占的容量也可以達(dá)到256GB或512GB,主要是這兩部分。另外Tbox可能從8GB上升到32GB,但主要還是娛樂(lè)域和自動(dòng)駕駛域相關(guān)的占比較大。
未來(lái),一個(gè)SoC可能會(huì)支持很多系統(tǒng),每個(gè)系統(tǒng)對(duì)于存儲(chǔ)的需求不一樣,對(duì)存儲(chǔ)提出了比較嚴(yán)苛的需求:要確保讀和寫都具備高速,還需要保證可擦寫次數(shù)、數(shù)據(jù)穩(wěn)定性、安全性等,比之前的單一需求要嚴(yán)苛很多,甚至包括物理分區(qū)功能的支持。
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